CVD（化学気相成長）

定義

原料ガスの化学反応により基板上に薄膜を堆積させる成膜方法。

訳し分け・誤訳の注意

「化学气相沉积」、略称は中国語でも CVD。日本語の「成膜」は「成膜」でも通じるが、工程文書では「沉积」（堆積）のほうが一般的。

実務での出現場面

成膜工程の作業標準書、装置の据付要件、ガス供給設備の仕様書に現れます。原料ガスの種類と流量、基板温度、圧力が処理条件として並び、数値と単位が工程そのものになります。

実際に起きる失敗

日本語の「成膜」を全て「成膜」と直訳した工程文書があり、堆積を指す「沉积」との使い分けが失われました。工程名としては「沉积」が一般的で、装置名も「沉积设备」となります。

対訳の実例

CVD により絶縁膜を堆積させます。／ 通过化学气相沉积形成绝缘膜。

本ページは技術文書の翻訳実務にもとづく用語の対応関係を示すものです。 法令上の定義や適用範囲を示すものではありません。