| 日本語 | イオン注入 |
|---|---|
| 中国語(簡体字) | 离子注入 |
| English | ion implantation |
| 分野 | 半導体・電子部品 |
不純物イオンを加速してウェハ表面に打ち込み、濃度と深さを制御してドーピングする方法。
「离子注入」で確立している。ドーズ量は「剂量」、加速エネルギーは「能量」。
不純物イオンを加速してウェハ表面に打ち込む方法です。ドーズ量と加速エネルギーが条件で、それぞれ定訳があります。装置の仕様書、工程条件表、不良解析報告に現れ、条件の数値は転記の対象です。注入後の分布は測定で確認され、測定方法も条件表に併記されます。装置の傾斜角も条件の一つです。
ドーズ量を「用量」と訳した工程条件表があり、医薬の用量と紛らわしくなりました。分野の定訳を用います。
イオン注入のドーズ量を設定します。/ 设定离子注入的剂量。
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