ALD（原子層堆積）
| 日本語 | ALD（原子層堆積） |
|---|---|
| 中国語（簡体字） | 原子层沉积 |
| English | atomic layer deposition |
| 分野 | 半導体・電子部品 |
定義
原子層単位で膜を積み上げる成膜方法。段差被覆性に優れる。
訳し分け・誤訳の注意
「原子层沉积」、略称 ALD。
本ページは技術文書の翻訳実務にもとづく用語の対応関係を示すものです。 法令上の定義や適用範囲を示すものではありません。
| 日本語 | ALD（原子層堆積） |
|---|---|
| 中国語（簡体字） | 原子层沉积 |
| English | atomic layer deposition |
| 分野 | 半導体・電子部品 |
原子層単位で膜を積み上げる成膜方法。段差被覆性に優れる。
「原子层沉积」、略称 ALD。
本ページは技術文書の翻訳実務にもとづく用語の対応関係を示すものです。 法令上の定義や適用範囲を示すものではありません。